稀(xi)土(tu)在(zai)光(guang)(guang)(guang)電(dian)(dian)(dian)(dian)子產業有(you)眾(zhong)(zhong)多的應用(yong)(yong)，其中(zhong)涉及到(dao)光(guang)(guang)(guang)信息(xi)的產生(sheng)、調(diao)制、傳輸、儲存(cun)、顯示(shi)及其他(ta)應用(yong)(yong)。光(guang)(guang)(guang)電(dian)(dian)(dian)(dian)子材料(liao)主要(yao)分(fen)為(wei)光(guang)(guang)(guang)電(dian)(dian)(dian)(dian)功(gong)能(neng)晶(jing)(jing)體(ti)材料(liao)、光(guang)(guang)(guang)纖材料(liao)和(he)顯示(shi)材料(liao)。光(guang)(guang)(guang)電(dian)(dian)(dian)(dian)功(gong)能(neng)晶(jing)(jing)體(ti)的種類眾(zhong)(zhong)多，目(mu)前(qian)已(yi)形成一(yi)定產業規模的主要(yao)有(you)激光(guang)(guang)(guang)與(yu)非線(xian)性晶(jing)(jing)體(ti)、閃爍晶(jing)(jing)體(ti)、光(guang)(guang)(guang)學晶(jing)(jing)體(ti)等(deng)晶(jing)(jing)體(ti)材料(liao)。稀(xi)土(tu)元素是光(guang)(guang)(guang)電(dian)(dian)(dian)(dian)子技術領域必(bi)不可少(shao)的新材料(liao)。如果(guo)進(jin)一(yi)步降低線(xian)寬(kuan)，則需采用(yong)(yong)更高介(jie)電(dian)(dian)(dian)(dian)常數的稀(xi)土(tu)柵介(jie)質材料(liao)。

　　稀土(tu)(別名(ming)：工業(ye)維生素)在光(guang)電(dian)子(zi)產(chan)業(ye)有(you)眾多(duo)的(de)(de)應用(yong)，其中涉(she)及(ji)到光(guang)信(xin)息的(de)(de)產(chan)生、調制(zhi)、傳輸、儲存(cun)、顯(xian)示(shi)及(ji)其他應用(yong)。光(guang)電(dian)子(zi)材(cai)料主要(yao)分為光(guang)電(dian)功能(neng)晶體(ti)(ti)(ti)材(cai)料、光(guang)纖材(cai)料和顯(xian)示(shi)材(cai)料。光(guang)電(dian)功能(neng)晶體(ti)(ti)(ti)的(de)(de)種類眾多(duo)，目前(qian)已形成(cheng)一(yi)定產(chan)業(ye)規(gui)模(mo)的(de)(de)主要(yao)有(you)激光(guang)與非線(xian)性晶體(ti)(ti)(ti)、閃爍晶體(ti)(ti)(ti)、光(guang)學晶體(ti)(ti)(ti)(含窗口、LED襯底晶體(ti)(ti)(ti))等(deng)晶體(ti)(ti)(ti)材(cai)料。

　　稀(xi)土(別(bie)名(ming)：工(gong)(gong)業(ye)維生素(su))元(yuan)素(su)是光(guang)電子(zi)技術領域必不可(ke)少(shao)的(de)(de)新材料(liao)。不同(tong)(tong)的(de)(de)稀(xi)土(別(bie)名(ming)：工(gong)(gong)業(ye)維生素(su))離(li)子(zi)，由于其4f殼層電子(zi)數目的(de)(de)變化，表現(xian)出不同(tong)(tong)的(de)(de)性(xing)質(zhi)和具(ju)備不同(tong)(tong)的(de)(de)用(yong)(yong)途(tu)，如(ru)La3+(4f0)，Gd+(4f7)，Lu3+(4f14)和Y3+、Sc3+具(ju)有(you)良(liang)好透光(guang)性(xing)，可(ke)作(zuo)為晶體的(de)(de)基質(zhi);而Pr3+，Nd3+，Er3+，Ho3+，Tm³+，Yb3+用(yong)(yong)作(zuo)激(ji)光(guang)材料(liao)的(de)(de)激(ji)活離(li)子(zi)，Ce3+，Eu³+，Eu2+，Tb3+，Dy3+用(yong)(yong)于發(fa)光(guang)材料(liao)。同(tong)(tong)一個稀(xi)土(別(bie)名(ming)：工(gong)(gong)業(ye)維生素(su))離(li)子(zi)也(ye)能(neng)在各種光(guang)學材料(liao)中發(fa)揮不同(tong)(tong)作(zuo)用(yong)(yong)，如(ru)Yb3+既可(ke)以(yi)作(zuo)為激(ji)光(guang)晶體的(de)(de)激(ji)活離(li)子(zi)，又可(ke)作(zuo)為紅外線和可(ke)見光(guang)學材料(liao)的(de)(de)敏化劑(ji)。

　　稀(xi)土(別(bie)名(ming)：工(gong)(gong)業維(wei)(wei)生(sheng)素(su))功能(neng)(neng)材(cai)料(liao)(liao)和(he)稀(xi)土(別(bie)名(ming)：工(gong)(gong)業維(wei)(wei)生(sheng)素(su))摻(chan)雜在(zai)電(dian)(dian)(dian)化(hua)學儲能(neng)(neng)領(ling)域(yu)有著廣泛的(de)應用(yong)，通過稀(xi)土(別(bie)名(ming)：工(gong)(gong)業維(wei)(wei)生(sheng)素(su))離子(zi)摻(chan)雜、稀(xi)土(別(bie)名(ming)：工(gong)(gong)業維(wei)(wei)生(sheng)素(su))離子(zi)包(bao)覆電(dian)(dian)(dian)極(ji)材(cai)料(liao)(liao)，穩(wen)定了電(dian)(dian)(dian)極(ji)材(cai)料(liao)(liao)結構、改善電(dian)(dian)(dian)極(ji)材(cai)料(liao)(liao)電(dian)(dian)(dian)子(zi)電(dian)(dian)(dian)導率、離子(zi)擴散，能(neng)(neng)夠有效提升電(dian)(dian)(dian)極(ji)材(cai)料(liao)(liao)的(de)電(dian)(dian)(dian)化(hua)學性能(neng)(neng)。稀(xi)土(別(bie)名(ming)：工(gong)(gong)業維(wei)(wei)生(sheng)素(su))離子(zi)的(de)電(dian)(dian)(dian)負性和(he)離子(zi)尺(chi)寸是調節鋰離子(zi)電(dian)(dian)(dian)池和(he)超級電(dian)(dian)(dian)容(rong)器電(dian)(dian)(dian)極(ji)材(cai)料(liao)(liao)性能(neng)(neng)的(de)關鍵因素(su)。

　　大規模集成(cheng)電(dian)路在(zai)信息通訊領域具有廣泛的(de)應用(yong)。隨著電(dian)子(zi)技(ji)術向高(gao)性能(neng)、多功能(neng)、大容量、微型化方(fang)向發展(zhan)，半導體芯片集成(cheng)度越(yue)來越(yue)高(gao)，晶體管(guan)尺寸越(yue)來越(yue)小(xiao)，傳統的(de)SiO2柵介(jie)質薄膜就(jiu)會存在(zai)漏(lou)電(dian)甚至絕緣失效的(de)問(wen)題，目前采用(yong)鉿、鋯(gao)及稀(xi)土(別名：工業維(wei)生素)改性的(de)稀(xi)有金屬氧(yang)化物(wu)薄膜解(jie)決核心漏(lou)電(dian)問(wen)題。如果進一步降低線寬，則需采用(yong)更高(gao)介(jie)電(dian)常數(shu)的(de)稀(xi)土(別名：工業維(wei)生素)柵介(jie)質材料。

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