電子封裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)基(ji)(ji)片(pian)材(cai)料(liao)的種(zhong)類(lei)很多，常用(yong)基(ji)(ji)片(pian)主(zhu)(zhu)要(yao)分為塑料(liao)封裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)基(ji)(ji)片(pian)、金(jin)(jin)屬封裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)基(ji)(ji)片(pian)和陶(tao)瓷(ci)封裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)基(ji)(ji)片(pian)3大類(lei)，目前以塑料(liao)為封裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)材(cai)料(liao)最為廣泛。但塑料(liao)封裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)材(cai)料(liao)通(tong)常熱導(dao)率(lv)不高(gao)、可靠性不好(hao)，在要(yao)求(qiu)較高(gao)的場(chang)合并(bing)不適用(yong);金(jin)(jin)屬封裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)材(cai)料(liao)熱導(dao)率(lv)高(gao)，但一(yi)般熱膨脹系數不匹配，而且價格較高(gao);陶(tao)瓷(ci)封裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)雖(sui)然不是主(zhu)(zhu)要(yao)的封裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)形式，但其(qi)作為一(yi)種(zhong)氣密性封裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)，熱導(dao)率(lv)較高(gao)，毫無疑問是今(jin)后(hou)封裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)材(cai)料(liao)的發展方向。

　　那又(you)有哪些陶瓷材料會被用以(yi)電(dian)子封裝呢(ni)?

　　1、Al2O3陶瓷(ci)

　　Al2O3陶(tao)瓷是目前應用最成熟的陶(tao)瓷基片(pian)材料(liao)，其價格(ge)低廉，尺寸精度高，與金屬(shu)的附著力(li)好(hao)，耐熱(re)沖(chong)擊性(xing)(xing)和電絕(jue)緣性(xing)(xing)較好(hao)，制作和加工技術成熟是一種綜合性(xing)(xing)能較為理想(xiang)的基片(pian)材料(liao)，因而使用最廣泛(fan)，占陶(tao)瓷基片(pian)材料(liao)的90%。

　　2、AIN陶瓷

　　AIN陶瓷基片是一種新(xin)型的(de)(de)基片材(cai)料(liao)，具有優(you)良(liang)的(de)(de)熱傳導(dao)性(xing)、可靠的(de)(de)電(dian)絕緣性(xing)、低的(de)(de)介(jie)電(dian)常數和介(jie)電(dian)損耗(hao)、無毒，以及(ji)與硅相匹配的(de)(de)熱膨脹系數等(deng)一系列優(you)良(liang)特性(xing)，被(bei)認為是新(xin)一代高集(ji)成度半導(dao)體基片和電(dian)子器件封裝的(de)(de)理想材(cai)料(liao)，受(shou)到了國內外研究者的(de)(de)廣泛重視。

　　但是，AIN陶(tao)瓷(ci)的(de)制備工藝復雜，成(cheng)本高，故至今仍(reng)未能進行大規模的(de)生產(chan)和應用。

　　3、BN陶瓷

　　BN具有(you)(you)較好(hao)的(de)綜合性能，但作為基(ji)片(pian)材料，它沒有(you)(you)突出(chu)的(de)優(you)點(dian)，價格昂貴，而且(qie)熱(re)膨脹系數(shu)(shu)又遠小于(yu)Si的(de)，易形(xing)成較大的(de)熱(re)應力(Si在(zai)室溫至673℃范圍內熱(re)膨脹系數(shu)(shu)為(3.5～3.8)×10-6℃)，BN目前(qian)仍處于(yu)研(yan)究和推廣(guang)中(zhong)。

　　4、氧化(hua)鈹(BeO)

　　BeO材料(liao)密度低，具有纖鋅礦型和(he)強(qiang)共價鍵結構，其粉末與基片(pian)均為(wei)白色。相對(dui)分(fen)子(zi)量較低，導致材料(liao)熱(re)導率高，如(ru)純(chun)度為(wei)99%的BeO陶瓷室溫熱(re)導率可(ke)達(da)310W/(m·K)。其禁帶寬度高達(da)10.6eV，介電常數(shu)為(wei)6.7，彈性模量為(wei)350GPa，抗(kang)彎強(qiang)度為(wei)200MPa，具有良好的綜合性能。

　　BeO的(de)生(sheng)產(chan)成本很高，這(zhe)也限制了它(ta)的(de)生(sheng)產(chan)和推廣應用(yong)。其用(yong)途(tu)僅限于以下幾個方(fang)面:高功率晶體(ti)管(guan)(guan)(guan)的(de)散(san)熱片、高頻及大功率半(ban)導(dao)體(ti)器(qi)件(jian)的(de)散(san)熱蓋板(ban)、發射管(guan)(guan)(guan)、行波管(guan)(guan)(guan)、激(ji)光管(guan)(guan)(guan)、速(su)調管(guan)(guan)(guan)等。

　　5、SiC陶瓷

　　SiC陶瓷的(de)(de)熱(re)導(dao)率很(hen)高，是Al2O3的(de)(de)13倍(bei)(bei)，而且電絕(jue)緣性好(hao)，熱(re)膨脹(zhang)系(xi)數低于Al2O3和(he)AIN。但是，SiC的(de)(de)介電常數太高，是AIN的(de)(de)4倍(bei)(bei)，耐壓強度(du)(du)低，所(suo)以(yi)(yi)僅適合密(mi)度(du)(du)較低的(de)(de)封裝(zhuang)(zhuang)而不(bu)適合高密(mi)度(du)(du)封裝(zhuang)(zhuang)。除了(le)用于集成(cheng)電路組件(jian)、陣列組件(jian)以(yi)(yi)及激(ji)光二極管等之外，也用于具有導(dao)電性的(de)(de)(機構)結構零件(jian)。

　　6、Si3N4陶瓷

　　Si3N4陶瓷(ci)基片具有很高的電絕緣性(xing)(xing)能和化學穩(wen)定(ding)性(xing)(xing)，熱(re)穩(wen)定(ding)性(xing)(xing)好，機械強度(du)大(da)，除了加壓燒結品外，也可做成絕緣薄膜使用，尤其是(shi)可用于制造高集(ji)(ji)成度(du)的大(da)規(gui)模集(ji)(ji)成電路板。

　　目前(qian)來說，就材(cai)料(liao)性質而(er)言，氮(dan)(dan)化鋁(lv)和氮(dan)(dan)化硅(gui)無疑是最(zui)好的(de)封(feng)裝材(cai)料(liao)，但是考(kao)慮到成(cheng)本因素，氧化鋁(lv)因其突出(chu)的(de)性價(jia)比應用最(zui)為(wei)廣泛(fan)。

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